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Infineon Technologies

IPS118N10N G

工場モデル IPS118N10N G
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
パッケージ PG-TO251-3-11
株式 5349 pcs
データシート IPS118N10N GPart Number GuideMultiple Devices 26/Jul/2012CoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5349のInfineon Technologies IPS118N10N Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 83µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO251-3-11
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 11.8mOhm @ 75A, 10V
電力消費（最大） 125W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4320 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 65 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 75A (Tc)

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